GaN (窒化ガリウム)とは、その優れた耐圧性と電力効率により「次世代のパワー半導体素材」として今大変注目されている新しい技術です。GaNの特徴は「優れた耐圧性と電力効率」。従来のシリコン半導体では給電中に発生する発熱などへ対策するため、高出力化に伴い充電器も大型化することが避けられませんでした。この問題に対してGaNはその優れた特性により発熱問題に対処が可能となり、高出力化しても安全性を確保しながら製品を小型化することを可能にしています。
＜GaN FET搭載 ACアダプターの主な特長＞
・従来よりも大幅にスイッチングを高速化する事が出来アダプターの小型化・軽量化が可能
・スイッチング損失が少ないため効率が良く低発熱
Roon Nucleusにそのまま直接接続可能です。
■製品仕様
■AC Input: 100 -240V～50/60Hz 1.6A Max
■Output: 19V, 6.3A, Max 119.7W
■外形寸法：L132 x W51 x H32 mm（±1mm）
■重量：336g
■DCプラグ： 外径：５．５ｍｍΦ、内径：２．５ｍｍΦ、長さ１1ｍｍ
■DCケーブル長：1200mm
■Safety：UL / CUL / GS / PSE / BSMI
■付属品：なし（ACコード付属しません）
